高倍聚光光伏技能最新进展
来源:http://www.sleepcongress.com 责任编辑:环亚娱乐ag88真人版 更新日期:2019-04-17 07:31

  高倍聚光光伏技能最新进展

  高倍聚光技能的商场和工业在最近几年取得很大发展,以下是一些基本情况:

  1.累积的装置并网现已到达330MWp。其间,超越3 0MWp的项目有:我国格尔木日芯公司的60MWp和80MWp项目,南非 soitec公司44MWp 的 Touwsr ivier 项目,美国科罗拉多Amonix 公司坐落Alamosa的30MWp项目;

  2.现已证明的可靠性和现场数据超越 6 年;

  3.全国际产能 500MW/年;

  4.高倍聚光的研制和技能水平发展:现已认证的电池功率国际记载为46%,现已承认的模组(组件)功率国际记载为36.7%,均由德国 FraunhoferISE 实验室取得。100kW以上项目计算分析标明,均匀电站功率现已到达 74%-80%;

  5.自2002年以来,高倍聚光芯片的光电变换功率每年进步0.9%以上。

  高倍聚光技能的特色

  作为公共事业级的并网发电技能,高倍聚光现已进入了商业商场,这篇陈述迁就以下几个方面全面回忆高倍聚光技能的最新发展,ag环亚集团包含商场、职业、研制和技能。

  虽然这个职业在上一年阅历了一些发电项目出资上的困难以及一些关于这项技能在银行融资上的谈论,但项目装置仍然在持续,在本钱下降和技能进步方面看起来也仍是达观的。

  高倍聚光的基本原理是运用相对廉价的聚光光学体系来代替贵重可是高功率的III-V半导体芯片,使得它在发电度电本钱上与光热技能和一般的平板(晶硅)体系具有竞争力,特别是在一些高辐射度的区域。高倍聚光特别适合于在阳光充足的区域(直射阳光 DNI > 2000 kWh/m2/a)建造大型发电项目,超越90%的高倍聚光发电(HCPV)体系选用高聚光比模组和双轴盯梢体系(计算至2014年11月)。

  所谓高聚光比指的是聚光比在300~1000之间,选用III-V族半导体资料的多结芯片(如三结GaInP/InGaAs/Ge)。低倍聚光(LCPV)体系的聚光比一般小于100,一般运用高效的单晶硅芯片,选用单轴盯梢体系或双轴盯梢体系,本文对此不作要点评述。

  越来越多的高倍聚光体系选用的是高聚光比的模组,也就是运用高效的III-V半导体芯片,这种芯片的功率提高十分明显,直接导致了聚光体系全体的本钱下降。在规范测验条件下,FraunhoferISE实验室的模组功率现已到达了36.7%,而大多数的商业模组现已超越了30%。 最近几年,得益于芯片和光学功率的提高,高倍聚光的AC体系功率也都到达了25%-29%之间。一起因为带盯梢体系的原因,高倍聚光体系在电力需求顶峰的下午时段能够坚持可观的电力输出。

  依据项目不同,高倍聚光的规划规模从 kW到MW级都能够。因为一些盯梢体系的立柱并不怎样占地方,项目地还能够做其他(如农业)用处。

  高倍聚光的别的一大长处是,不像一般的晶硅体系,其电力输出不太受环境温度影响,在气候酷热的区域比较有装置优势。

  从出产制作环节来看,高倍聚光的初始设备出资相对于其他光伏技能(如晶硅)是比较低的,虽然存在不同的高倍聚光规划和出产工艺道路。美国可再生能源实验室(NREL)的详细分析指出,选用菲涅耳透镜和二次光学的技能道路,出产芯片和模组的设备出资为$0.56/Wp(DC), 其他规划方式还可能更低。大部分的高倍聚光体系出产厂家还把芯片和光学部分的出产外包,这样的话,其出产设备出资还要低得多。